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QS5U33
Transistor
4V Drive Pch+SBD MOSFET
QS5U33
Structure
Silicon P-channel MOSFET
Schottky Barrier DIODE
Dimensions (Unit : mm)
TSMT5
1.0MAX
2.9
1.9
0.95 0.95
0.85
0.7
Features
1) The QS5U33 combines Pch MOSFET with
(5)
(4)
0~0.1
a Schottky barrier diode in TSMT5 package.
2) Low on-state resistance with fast switching.
(1)
(2)
(3)
0.4
0.16
3) Low voltage drive (4V).
4) Built-in schottky barrier diode has low forward voltage.
Applications
Load switch, DC/DC conversion
Packaging specifications
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : U33
Equivalent circuit
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
TR
3000
(5)
? 2
(4)
QS5U33
? 1
(1)Gate
(2)Source
(1)
? 1 ESD protection diode
? 2 Body diode
(2)
(3)
(3)Anode
(4)Cathode
(5)Drain
? A protection diode has been buitt in between the gate and
the source to protect against static electricity when the product
is in use. Use the protection circuit when rated voltages are exceeded.
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